2SB2955中文资料
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- 描述：Dated : 17/09/2016 Rev:03 TOP DYNAMIC 2SB2955 PNP Epitaxial Silicon Power Transistor for power switching circuits and general-purpose amplifiers. Absolute Maximum Ratings (T a = 25 O C) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage -V CBO 70 V Collector Emitter Voltage -V CEO 60 V Emitter Base Voltage -V EBO 5 V Collector Current -I C 10 A Base Current -I B 6 A Power Dissipation (T C ≤ 25 O C) P tot 75 W Junction Temperature T j 150 O C Storage Temperature Range T stg - 55 to + 150 O C Characteristics at T a = 25 O C Parameter Symbol Min. Typ. Max. Unit DC Current Gain at -V CE = 4 V, -I C = 4 A at -V CE = 4 V, -I C = 10 A h FE h FE 20 5 - - 70 - - - Collector Base Cutoff Current at -V CB = 70 V at -V CB = 70 V, T C = 150 O C -I CBO - - - - 1 10 mA Collector Emitter Cutoff Current at -V CE =
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更新时间:2023-01-02 19:56:36- 供应商
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